Схема мостового усилителя мощности 100-500 w

схема мостового усилителя мощности 100-500 w
Требуемая мощ­ность запирающего управляющего импульса значительно выше мощности отпирающего импульса. Рис. 1.11. Структура (а) и стоковые характеристики (б- со встроенным каналом, в — с индуцированным каналом) МДП-транзистров Рассмотрим принцип действия прибора. Отмечается увеличение числа совре менных комплексных НИОКР и пере вод установочных партий прошлых лет в серийные выпуски.


Избыточный заряд дырок уравновешивается заря­дом отрицательных ионов, при этом сохраняется электри­ческая нейтральность полупроводника. После создания слоя окисла на поверхности и нанесения соединений кри­сталлы полупроводника помещают в герметизированный корпус, имеющий выводы во внешнюю цепь. Функция мягкого запуска обеспечивает уменьшение пускового тока и выброс на пряжения при первом включении модуля или при выходе из дежурного режима.

Поэтому аппаратура на ИМС намного надежнее, чем аппаратура на дискретных элементах, меньше вероятность ошибок при монтаже. Электричес­кая прочность материалов, из которых изготавливают оптопары, позво­ляет передавать сигналы при разности потенциалов между излучателем и фотоприемником в несколько тысяч вольт. Разработки МТЭ не сводятся к умень шению размеров топливного элемен та.

Похожие записи: